RTS-8四探針測(cè)試儀參數(shù)：

測(cè)量范圍

電阻率：10^-5～10⁵Ω.cm；

方塊電阻：10^-4～10⁶Ω/□；

電阻：10^-5～10⁵Ω；

電導(dǎo)率：10^-5～10⁵s/cm；

可測(cè)晶片直徑：140mmX150mm (配S-2A型測(cè)試臺(tái))；

               200mmX200mm (配S-2B型測(cè)試臺(tái))；

400mmX500mm (配S-2C型測(cè)試臺(tái))；

恒流源

電流量程分為 1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)；

數(shù)字電壓表

量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　　

分辨力：10μV；

輸入阻抗：＞1000MΩ；   

精度：±0.1%；

顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；　　

四探針探頭基本指標(biāo)

間距：1±0.01mm；

針間絕緣電阻: ≥1000MΩ；

機(jī)械游移率: ≤0.3％；

探針：碳化鎢或高速鋼材質(zhì)，探針直徑Ф0.5mm；

探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

見(jiàn)探頭附帶的合格證，合格證含三參數(shù)項(xiàng)：

C：探針系數(shù)； F：探針間距修正因子； S：探針平均間距；

模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差（按 JJG508-87 進(jìn)行）

0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3％±１字；

整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差

(用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm 測(cè)試)≤±5％；

整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度

≤5％；

外型尺寸（大約）

電氣主機(jī): 460mm×320mm×100mm；

S-2A型測(cè)試臺(tái): 190mm×140mm×260mm；

S-2B型測(cè)試臺(tái): 300mm×210mm×400mm；

S-2C型測(cè)試臺(tái): 500mm×400mm×350mm；

儀器重量（大約）

電氣主機(jī): 3.5kg；

S-2A型測(cè)試臺(tái): 2kg；

S-2B型測(cè)試臺(tái): 2.5kg；

S-2C型測(cè)試臺(tái): 4kg；

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境

溫度:：23±2℃；

相對(duì)濕度：≤65％；

無(wú)高頻干擾；

無(wú)強(qiáng)光直射；

*.注意:使用1μA量程時(shí)，允許有小于1.0nA的空載電流.在相對(duì)濕度小于50%時(shí)使用。